三星开发出全球最小DRAM内存芯片,速度提升10%
华尔街见闻
2017年12月20日 13:46
三星电子今天宣布,公司使用第二代10纳米级工艺生产出了8Gb DDR4芯片,第二代10纳米级芯片比第一代芯片快10%,功耗降低15%。据路透,该芯片是“全球最小”的DRAM芯片,扩大了领先对手的优势。在半导体业务推动下,三星今年营业利润有望创下纪录。
(来源:华尔街见闻)
责编 梁秋月
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